Q1: چرا تست مقاومت ولتاژ القایی (IVW) برای ترانسفورماتورهای بزرگ از تست استاندارد مقاومت منبع جداگانه (Hipot) حیاتی تر است؟
A: آزمون منبع جداگانه (Hipot) در درجه اول به ارزیابی میپردازدعایق اصلی(سیم پیچ به زمین و بین سیم پیچ)، که در آن کل سیم پیچ در پتانسیل یکسان است. در مقابل، آزمایش ولتاژ القایی (IVW) ترانسفورماتور را از سمت ولتاژ پایین- برای القای ولتاژ بالا در سمت ولتاژ بالا- تحریک میکند. این به طور واقع بینانه تاکید می کندعایق طولی(عایق بین-چرخش، بین-لایه، و ضربه بزنید-عایق تغییر). از آنجایی که اکثریت قریب به اتفاق خرابی های عایق در ترانسفورماتورهای بزرگ بین پیچ ها رخ می دهد، IVW با نظارت PD معتبرترین روش برای تأیید یکپارچگی دی الکتریک داخلی است.
Q2: چرا باید فرکانس را به جای 50 هرتز/60 هرتز استاندارد روی 150 هرتز تا 200 هرتز (دوبرابر کردن فرکانس) برای تست های مقاومت القایی تنظیم کرد؟
A: این امر برای پیشگیری الزامی استاشباع هسته مغناطیسی. طبق فرمول شار مغناطیسی Φ=U/(4.44⋅f⋅N)، اگر فرکانس ff در 50 هرتز ثابت بماند در حالی که ولتاژ آزمایشی UU به 1.5 برابر مقدار نامی افزایش یابد، شار ΦΦ نیز 1.5 برابر افزایش مییابد. این منجر به اشباع شدید هسته می شود و در نتیجه جریان های تحریک عظیمی ایجاد می شود که می تواند فوراً سیم پیچ ها را بسوزاند. با افزایش فرکانس ff به 150 هرتز یا بالاتر، میتوانیم به ولتاژ تست بالا مورد نیاز دست یابیم و در عین حال شار هسته را در محدوده نامی یا حتی زیر آن نگه داریم و از یک محیط تست ایمن اطمینان حاصل کنیم.
Q3: چگونه می توانیم از سطح نویز PD پس زمینه کمتر از 10pC برای یک سیستم تست کلاس 500 کیلوولت در یک محیط میدانی اطمینان حاصل کنیم؟
A: دستیابی به الف<10pC background noise level requires a "Three-Tier" protection strategy:
فیلتر منبع: منبع انرژی فرکانس متغیر باید دارای عملکرد بالا- باشدفیلترهای چند مرحله ای LC پایین-برای حذف هارمونیکهای فرکانس بالا-که توسط سوئیچینگ IGBT ایجاد میشوند.
حفاظت فضایی: در حال نصبحلقههای تاج دقیق-دولایه- صیقلیبا قطر بزرگتر یا مساوی 1000 میلی متر بزرگتر یا مساوی 1000 میلی متر در پایانه های ولتاژ بالا-(تقسیم کننده و بوشینگ) برای سرکوب تاج هوا در شدت میدان{{3} بالا.
منطق زمینه سازی: اجرای الف"Single-Single Point Starounding"سیستمی که از شینه های مسی سنگین-برای حذف جریان های تداخلی ناشی از حلقه های زمین استفاده می کند.
Q4: چرا سیستم 1040kVA/260kV یک راه حل ایده آل با مشخصات بالا برای آزمایش ترانسفورماتور 66kV/40MVA در نظر گرفته می شود؟
A: این یک استراتژی "بیش از-مشخصات برای قابلیت اطمینان" است. از آنجایی که ولتاژ نامی سیستم (260 کیلو ولت) به طور قابل توجهی بالاتر از حداکثر ولتاژ آزمایشی مورد نیاز برای یک ترانسفورماتور 66 کیلوولت (تقریبا. 140 کیلوولت) است، تجهیزات تست در سطح تنش الکتریکی داخلی بسیار پایین کار میکنند. در نتیجه، آن استتخلیه جزئی-خود ایجاد شده ناچیز است. این یک محیط آزمایشی فوق-برای گرفتن سیگنالهای نقص دقیقه در ترانسفورماتور (مانند حبابهای ریز در روغن یا سوراخهای کوچک) فراهم میکند، که حساسیت و دقت تشخیصی را بسیار بهبود میبخشد.
Q5: اهمیت عملی الگوهای PRPD 2D/3D برای مهندسان هنگام تشخیص عیوب چیست؟
A: PRPD (فاز-تخلیه جزئی حلشده)الگوها به عنوان "اثر انگشت" نقص های عایق عمل می کنند. با مشاهده توزیع پالس نسبت به فاز موج سینوسی (تقارن، شیب و فرکانس)، مهندسان می توانند به طور خودکار نوع نقص را طبقه بندی کنند:
تخلیه نقطه ای (کرونا): به طور معمول در نزدیکی قله های ولتاژ با شکل واضح "کوه" ظاهر می شود.
تخلیه الکترود شناور: با دامنه بسیار پایدار و موقعیت های فاز ثابت مشخص می شود.
تخلیه فضای خالی داخلی: دارای توزیع گسترده و بیضی شکل است. این امر تشخیص در محل را قادر میسازد تا از تشخیص ساده «اگر» یک تخلیه تا شناسایی «چه چیزی» تخلیه میشود، تکامل یابد، و راهنمایی دقیق برای تعمیر و نگهداری یا تعمیر ترانسفورماتور بعدی ارائه دهد.
